Table 3. DC Characteristics, VD =
參數(shù)資料
型號： SI3019-F-GM
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 96/128頁
文件大小： 0K
描述： IC VOICE GLOBAL DAA PROGR 20QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 490
系列： *
Si3050 + Si3011/18/19
Rev. 1.5
7
Table 3. DC Characteristics, VD = 3.0 to 3.6 V
(VD = 3.0 to 3.6 V, TA = 0 to 70 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage1
VIH
2.0
—
V
Low Level Input Voltage1
VIL
——
0.8
V
High Level Output Voltage
VOH
IO =–2mA
2.4
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
IO = 2 mA
—
0.35
V
AOUT High Level Voltage
VAH
IO =10mA
2.4
—
V
AOUT Low Level Voltage
VAL
IO =10mA
—
0.35
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
Power Supply Current, Digital2
ID
VD pin
—
8.5
10
mA
Total Supply Current, Sleep Mode2
ID
PDN = 1, PDL = 0
—
5.0
6.0
mA
Total Supply Current, Deep Sleep2,3
ID
PDN = 1, PDL = 1
—
1.3
1.5
mA
Notes:
1. VIH/VIL do not apply to C1A/C2A.
2. All inputs at 0.4 or VD – 0.4 (CMOS levels). All inputs are held static except clock and all outputs unloaded
(Static IOUT = 0mA).
3. RGDT is not functional in this state.
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