參數(shù)資料
型號： Si2307BDS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： SI2307BDS
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si2307BDS
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
S-50383
Rev. B, 21-Mar-05
3
www.vishay.com
Document Number: 72745
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2307DS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2312DS N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2312DS-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2318DS-T1 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI2318DS N-Channel; MOSFET for general applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI2307BDS-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.2A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2307BDS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2307CDS 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2307CDS-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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