| 型號(hào)： | SI2306BDS-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.16A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫歐 @ 3.5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 305pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SI2306BDS-T1-GE3DKR |