參數(shù)資料
型號： Si2302ADS-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
中文描述： N溝道1.25鎢，2.5 V的MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI2302ADS-T1
Si2302ADS
Vishay Siliconix
Document Number: 71831
S-41772—Rev. D, 20-Sep-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
On-Resistance vs. Drain Current
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
T
C
= 125
_
C
--55
_
C
0, 0.5, 1 V
V
GS
= 5 thru 2.5 V
1.5 V
2 V
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
--50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
2
4
6
8
10
Gate Charge
-
V
Q
g
-- Total Gate Charge (nC)
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.6 A
-
r
I
D
-- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.6 A
T
J
-- Junction Temperature (
_
C)
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
25
_
C
r
D
-
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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