參數(shù)資料
型號: SI1970DH-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 225 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.6V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 95pF @ 15V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 帶卷 (TR)