參數(shù)資料
型號： SI1917EDH
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： SI1917EDH
Si1917EDH
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71414
S-03174
—
Rev. A, 07-Mar-01
–
0.2
–
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 100 A
1.0
1.2
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
0.1
1
3
I
D
=
–
1.0 A
0
0.2
0.6
0.8
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
0
0.01
1
5
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
3
4
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 170 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
600
10
0.1
T
J
= 25 C
2
T
J
= 150 C
0.4
100
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PDF描述
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