| 型號： | SI1902DL-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | DL-T1-E3 Series SOT-363 |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 660mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫歐 @ 660ma，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 1.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝： | SC-70-6 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | SI1902DL-T1-GE3DKR |