參數(shù)資料
型號: SI1900DL-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 590mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 480 毫歐 @ 590mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
功率 - 最大: 270mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 帶卷 (TR)