參數(shù)資料
型號(hào)： SI106-821
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SMT Power Inductor
中文描述： SMT功率電感
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 419K
代理商： SI106-821
L
DCR
I
PART NO.
(uH)
( ) MAX
(Adc)
RATED
SI106 - 100
10
0.06
2.60
SI106 - 120
12
0.07
2.45
SI106 - 150
15
0.08
2.27
SI106 - 180
18
0.09
2.15
SI106 - 220
22
0.10
1.95
SI106 - 270
27
0.11
1.76
SI106 - 330
33
0.12
1.50
SI106 - 390
39
0.14
1.37
SI106 - 470
47
0.17
1.28
SI106 - 560
56
0.19
1.17
SI106 - 680
68
0.22
1.11
SI106 - 820
82
0.25
1.00
SI106 - 101
100
0.35
0.97
SI106 - 121
120
0.40
0.89
SI106 - 151
150
0.47
0.78
SI106 - 181
180
0.63
0.72
SI106 - 221
220
0.73
0.66
SI106 - 271
270
0.97
0.57
SI106 - 331
330
1.15
0.52
SI106 - 391
390
1.30
0.48
SI106 - 471
470
1.48
0.42
SI106 - 561
560
1.90
0.33
SI106 - 681
680
2.25
0.28
SI106 - 821
820
2.55
0.24
Tolerance of inductance
10~820uH 10%
I : rated current. L<10%, T<45
at I
Operating temperature: -20
to 105
(including self-temperature rise)
o
Test condition at 25C: 1KHz, 1V
o
C
o
o
C
C
RATED
RATED
SMT Power Inductor
SI106 Type
Features
10.0
9.0
0.2
5.4
0.5
10.6
1.8
2.0
0.2
10.0 0.4
Low profile (5.9mm max. height) SMD type.
Unshielded.
Self-leads, suitable for high density
High energy storage and low DCR.
Provided with embossed carrier tape packing.
Ideal for power source circuits, DC-DC converter,
DC-AC inverters inductor application.
In addition to the standard versions shown here,
custom inductors are available to meet your exact requirements.
mounting.
DELTA ELECTRONICS, INC.
(TAOYUAN PLANT CPBG)
9
Recommended Pad
0.00
0.01
0.10
1.00
10.00
CURRENT (A)
1.00
10.00
100.00
1000.00
INDUCTANCE(uH)
100
120
150
180
220
270
390
330
470
560
680
820
101
121
151
181
221
271
331
391
471
561
681
821
Mechanical Dimension:
Unit: mm
Electrical Characteristics:
252, SAN YING ROAD, KUEISAN INDUSTRIAL ZONE, TAOYUAN SHIEN, 333, TAIWAN, R.O.C.
TEL: 886-3-3591968; FAX: 886-3-3591991
http://www.deltaww.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI106-681 SMT Power Inductor
SI106-120 SMT Power Inductor
SI3012-KS GLOBAL MC 97 SILICON DAA
SI3012 3.3 V FCC/JATE DIRECT ACCESS ARRANGEMENT
SI3012-KT 3.3 V FCC/JATE DIRECT ACCESS ARRANGEMENT
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SI1069X-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1070X 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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