參數(shù)資料
型號： SGW10N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 21 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： SGW10N60
SGP10N60
SGB10N60, SGW10N60
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
29
21
233
49
0.20
0.17
0.370
35
25
280
59
0.230
0.221
0.451
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=400V,
I
C
=10A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=25
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
29
21
266
63
0.297
0.28
0.577
35
25
319
76
0.342
0.364
0.706
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=400V,
I
C
=10A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=25
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB15N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB30N60 Fast IGBT in NPT-technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW10N60A 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW10N60AFKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO247-3
SGW10N60RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*