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參數(shù)資料
| 型號： | SGU06N60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | SGU06N60 |
SGP06N60, SGB06N60
SGD06N60, SGU06N60
6
Mar-00
t
,
S
0A
3A
6A
9A
12A
15A
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
50
100
150
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 50
)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 6A)
t
,
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
5.5V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 6A,
R
G
= 50
)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.25mA)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGB07N120 | Fast IGBT in NPT-technology |
| SGP07N120 | Fast IGBT in NPT-technology |
| SGB07N120 | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT) |
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