參數(shù)資料
型號： SGS5N150UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： General Description
中文描述： 10 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： SGS5N150UF
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS5N150UF Rev. B
IGBT
S
SGS5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor
(
IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGS5N150UF is designed for the Switching Power
Supply applications.
Features
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE(sat)
= 4.7 V @ I
C
= 5A
High Input Impedance
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
V
CES
V
GES
Description
SGS5N150UF
1500
±
20
10
5
20
50
20
-55 to +150
-55 to +150
Units
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
I
C
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM (1)
P
D
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
stg
T
L
300
°
C
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
Parameter
Typ.
--
--
Max.
2.5
62.5
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
G C
E
TO-220F
G
C
E
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PDF描述
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