參數(shù)資料
型號： SGS125
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Silicon PNP Power Darlington Transistor(硅PNP功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 硅PNP功率達(dá)林頓晶體管（硅進(jìn)步黨功率達(dá)林頓晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
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代理商： SGS125
SGS125
SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
PNP DARLINGTON
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATION
I
GENERAL PURPOSE SWITCHING
DESCRIPTION
The SGS125 is a silicon epitaxial-base PNP
transistor in monolithic Darlington configuration in
SOT82 plastic package, intented for use in power
linear and switching applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
R
1
Typ. 5 K
R
2
Typ. 150 K
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Base-Emitter Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
≤
25
o
C
T
amb
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
- 60
- 60
- 5
- 5
- 8
- 0.1
65
2
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
T
stg
T
j
-65 to 150
150
12
3
SOT-82
1/4
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PDF描述
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