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參數(shù)資料
| 型號： | SGM2013N |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| 中文描述： | 砷化鎵N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | SGM2013N |
– 3 –
SGM2013N
I
D
vs. V
G2S
V
G2S
– Gate 2 to source voltage [V]
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0
0
2
4
6
8
10
(V
DS
= 2V)
I
D
–1.0V
–0.8V
–0.6V
–0.4V
–0.2V
V
G1S
= 0V
gm vs. V
G1S
V
G1S
– Gate 1 source voltage [V]
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0
0
5
10
15
20
25
(V
DS
= 2V)
g
–0.75V
–0.5V
–0.25V
0V
0.25V
V
G2S
= 0.5V
NF, Ga vs. V
G1S
V
G1S
– Gate 1 to source voltage [V]
–1.0
–0.6
–0.2
0.2
0
1
2
3
4
5
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V, f = 900MHz)
N
0
5
10
15
20
25
–0.8
–0.4
0
G
Ga
NF
NF, Ga vs. V
DS
V
DS
– Drain to source voltage [V]
0
2
4
0
1
2
3
4
5
N
0
5
10
15
20
25
1
3
5
G
Ga
NF
NF, Ga vs. I
D
I
D
– Drain current [mA]
0
4
8
11
0
1
2
3
4
5
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V, f = 900MHz)
N
0
5
10
15
20
25
2
6
10
G
Ga
NF
1
5
9
3
7
NF, Ga vs. f
f – Frequency [GHz]
0
0.8
1.6
2.2
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
(V
DS
= 2V, V
G2S
= 0.5V, I
D
= 2mA)
N
0
5
10
15
25
30
0.4
1.2
2.0
G
Ga
0.2
1.0
1.8
0.6
1.4
20
0.5
NFmin
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGM2014 | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| SGM2014AM | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| SGM2014AN | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| SGM2014M | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| SGM2016AP | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGM2014 | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators |
| SGM2014-1.5 | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators |
| SGM2014-1.5YN5/TR | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators |
| SGM2014-1.8 | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators |
| SGM2014-1.8YN5/TR | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators |
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