| 型號(hào): | SGL34-60 |
| 廠商: | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | Schottky barrier rectifiers diodes |
| 中文描述: | 0.5 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| 封裝: | PLASTIC, MINIMELF-2 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商: | SGL34-60 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGL34-90 | Schottky barrier rectifiers diodes |
| SGL34-60 | Surface Mount Schottky-Rectifiers |
| SGL34-90 | Surface Mount Schottky-Rectifiers |
| SGL34 | Surface Mount Schottky-Rectifiers |
| SGL34-100 | Surface Mount Schottky-Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGL34-90 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Schottky barrier rectifiers diodes |
| SGL40N150 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description |
| SGL40N150D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description |
| SGL40N150DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGL40N150TU | 功能描述:IGBT 晶體管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |