參數(shù)資料
型號(hào)： SGL1-60
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
封裝： PLASTIC, MINIMELF-2
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 139K
代理商： SGL1-60
Surface mount diode
Schottky barrier rectifiers
diodes
SGL 1-20...SGL 1-100
Forward Current: 1 A
Reverse Voltage: 20 to 100 V
Features
Mechanical Data
1)
2)
3)
4)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Dimensions in mm
SGL 1-20 ... SGL 1-100
1
08-03-2007 MAM
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL34-20 0.8 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
SGL34-60P 0.8 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
SGL34-50P 0.8 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
SGL34-40 0.8 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
SGL34-30 0.8 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL160N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGL160N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultrafast IGBT
SGL160N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL160N60UFDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT ULTRAFAST 600V 160A TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, ULTRAFAST, 600V, 160A, TO-264
SGL160N60UFDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR TYPE:IGBT
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*