參數(shù)資料
型號： SGD06N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： SGD06N60
SGP06N60, SGB06N60
SGD06N60, SGU06N60
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
25
18
220
54
0.110
0.105
0.215
30
22
264
65
0.127
0.137
0.263
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=400V,
I
C
=6A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=50
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
24
17
248
70
0.167
0.153
0.320
29
20
298
84
0.192
0.199
0.391
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=400V,
I
C
=6A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=50
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP06N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGU06N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB07N120 Fast IGBT in NPT-technology
SGP07N120 Fast IGBT in NPT-technology
SGB07N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SGD-100 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100T 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD102 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:C to X Band, Mixer, Modulator Applications
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