參數(shù)資料
型號(hào)： SGD-100T
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： GALLIUM ARSENIDE, C-X BAND, MIXER DIODE
封裝： CERAMIC, CP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： SGD-100T
SGD-100T
Ordering number :EN3170A
C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
GaAs Schottky Barrier Diode
41098HA (KT)/90694MO/8-6953/O259MO, TS No.3170-1/2
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Package Dimensions
unit:mm
1235A
[SGD-100T]
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C (Per element)
1:Cathode
2:Anode
3:Common
SANYO:CP
Electrical Characteristics at Ta = 25C (Per element)
C
Features
Very small-sized ceramic package.
Less parasitc components, conversion loss.
Electrical Connection
1:Cathode
2:Anode
3:Common
(Top view)
C
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