參數(shù)資料
型號： SGB30N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 425K
代理商： SGB30N60
SGP30N60,
SGB30N60
SGW30N60
4
Jul-02
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
20A
40A
60A
80A
100A
120A
140A
160A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
100A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=4
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 11
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
50W
100W
150W
200W
250W
300W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
Limited by bond wire
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW30N60 CAP 0.1UF 50V 10% X7R AXIAL TR-14
SGP30N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGB30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGB30N60_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB30N60ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 41A 250W TO263-3
SGB30N60-E3045A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SGB30UF 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB30UFSMS 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
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