參數(shù)資料
型號： SGB07N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 386K
代理商： SGB07N120
SGP07N120
SGB07N120
Power Semiconductors
4
Jul-02
I
C
,
C
10Hz
100Hz
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 47
)
1kHz
10kHz
100kHz
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=5
μ
s
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
25W
50W
75W
100W
125W
150W
I
C
,
C
25°C
50°C
T
C
,
CASE TEMPERATURE
75°C
100°C
125°C
0A
5A
10A
15A
20A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP07N120 Fast IGBT in NPT-technology
SGB07N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGP07N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGB10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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參數(shù)描述
SGB07N120_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology lower Eoff compared to previous generation
SGB07N120ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 16.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 8A 125W TO263-3-2
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SGB10N60A 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGB10N60A_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
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