參數(shù)資料
型號(hào)： SFH615AGB
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電耦合器
英文描述： Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-4
中文描述： Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 100-600%
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： SFH615AGB
www.vishay.com
640
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 83672
Rev. 1.7, 10-Dec-08
SFH615AA, SFH615AGB, SFH615AGR, SFH615ABM, SFH615ABL, SFH615AY, SFH615AB
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Phototransistor Output,
High Reliability, 5300 V
RMS
Notes
(1)
T
= 25 °C, unless otherwise specified.
Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not
implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute maximum
ratings for extended periods of the time can adversely affect reliability.
(2)
Refer to reflow profile for soldering conditions for surface mounted devices (SMD). Refer to wave profile for soldering conditions for through
hole devices (DIP).
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
PARAMETER
INPUT
Reverse voltage
DC forward current
Surge forward current
Power dissipation
OUTPUT
Collector emitter voltage
Emitter collector voltage
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
V
R
I
F
I
FSM
P
diss
6
V
60
2.5
100
mA
A
mW
t
P
≤
10 ms
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
diss
70
7
50
100
150
V
V
Collector current
mA
mA
mW
t
P
≤
10 ms
Total power dissipation
COUPLER
Isolation test voltage
between emitter and detector
Creepage distance
Clearance distance
Isolation thickness between emitter
and detector Comparative tracking
index per DIN IEC 112/VDE 0303, part 1
V
ISO
5300
V
RMS
≥
7
≥
7
mm
mm
CTI
≥
175
Isolation resistance
V
IO
= 500 V, T
amb
= 25 °C
V
IO
= 500 V, T
amb
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
stg
T
amb
≥
10
12
≥
10
11
Ω
Ω
°C
°C
Storage temperature range
Ambient temperature range
- 55 to + 150
- 55 to + 100
Soldering temperature
(2)
max. 10 s, dip soldering distance
to seating plane
≥
1.5 mm
T
sld
260
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
INPUT
Forward voltage
Reverse current
Capacitance
Thermal resistance
OUTPUT
Collector emitter capacitance
Thermal resistance
Collector emitter saturation
voltage
Coupling capacitance
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
F
= 60 mA
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
V
F
I
R
C
O
R
thja
1.25
0.01
13
750
1.65
10
V
μA
pF
K/W
V
CE
= 5 V, f = 1 MHz
C
CE
R
thja
5.2
500
pF
K/W
I
F
= 10 mA, I
C
= 2.5 mA
V
CEsat
0.25
0.4
V
C
C
0.4
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SFH615AGB-X009T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
SFH615AGB-X016 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
SFH615AGR 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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