參數資料
型號： SFH4200
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm),High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm)
中文描述： 施內勒砷化鎵紅外Lumineszenzdiode（950納米），高速砷化鎵紅外發(fā)射器（950納米）
文件頁數： 4/7頁
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代理商： SFH4200
2000-01-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4200, SFH 4205
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Werte
Values
4
8.5
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
I
e min.
I
e typ.
mW/sr
mW/sr
I
e typ.
55
mW/sr
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PDF描述
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