參數(shù)資料
型號(hào)： SDT10S30
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Silicon Carbide Schottky Diode
中文描述： 碳化硅肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 618K
代理商： SDT10S30
2001-12-04
Page 4
SDP10S30, SDB10S30
SDT10S30
Preliminary data
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120 140
°C
180
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
W
70
P
t
2 Diode forward current
I
F
=
f
(
T
C
)
parameter:
T
j
175 °C
0
20
40
60
80
100
120 140
°C
180
T
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
11
I
F
4 Typ. forward power dissipation vs.
average forward current
P
F(AV)=
f
(
I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
0
2
4
6
8
10
12
14
A
I
F(AV)
18
0
4
8
12
16
20
24
W
32
P
F
d=1
d=0.5
d=0.2
d=0.1
3 Typ. forward characteristic
I
F
=
f
(
V
F
)
parameter:
T
j , t
p
= 350 μs
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
V
F
2.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
20
I
F
-40°C
25°C
100°C
125°C
150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SDT10S60 Silicon Carbide Schottky Diode
SDR-3001 Software Defined Radio Transceiver Platform
SDR_3000 Software Defined Radio Transceiver Platform
SDR0302 SMD Power Inductors
SDR0302-100ML SMD Power Inductors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SDT10S60 功能描述:肖特基二極管與整流器 Silicon Carbide Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
SDT10S60_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode
SDT10S60XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
SDT116 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
SDT116GK08 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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