參數(shù)資料
型號： SDT06S60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Silicon Carbide Schottky Diode
中文描述： 碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： SDT06S60
2004-03-23
Rev. 2.0
Page 4
SDP06S60, SDB06S60
SDT06S60
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
W
60
P
t
2 Diode forward current
I
F
=
f
(
T
C
)
parameter:
T
j
≤
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
A
6.5
I
F
4 Typ. forward power dissipation vs.
average forward current
P
F(AV)=
f
(
I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
0
2
4
6
8
A
12
I
F(AV)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
W
28
P
F
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
3 Typ. forward characteristic
I
F
=
f
(
V
F
)
parameter:
T
j , t
p
= 350 μs
0
0.5
1
1.5
V
2.5
V
F
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
12
I
F
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SDP10S30 Silicon Carbide Schottky Diode
SDT10S30 Silicon Carbide Schottky Diode
SDT10S60 Silicon Carbide Schottky Diode
SDR-3001 Software Defined Radio Transceiver Platform
SDR_3000 Software Defined Radio Transceiver Platform
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參數(shù)描述
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SDT0804T-680M-N 制造商:Yageo Corporation 功能描述:
SDT08S60 功能描述:肖特基二極管與整流器 Silicon Carbide Schottky Diode 600V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
SDT08S60_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode
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