- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄66211 > SDP8406-001 PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SDP8406-001 |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | SDP8406-001 |
Silicon Phototransistor
SDP8406
DESCRIPTION
FEATURES
Side-looking plastic package
50 (nominal) acceptance angle
Wide sensitivity ranges
Mechanically and spectrally matched to
SEP8506 and SEP8706 infrared emitting diodes
The SDP8406 is an NPN silicon phototransistor molded
in a side-looking clear plastic package. The chip is
positioned to accept radiation through a plastic lens
from the side of the package.
DIM_017.ds4
INFRA-21.TIF
OUTLINE DIMENSIONS in inches (mm)
3 plc decimals
±0.005(0.12)
Tolerance
2 plc decimals
±0.020(0.51)
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
120
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8406-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8406-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8406-004 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8436-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SE1003-C | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SDP8406-002 | 功能描述:光電晶體管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| SDP8406-003 | 功能描述:光電晶體管 PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| SDP8406-003 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| SDP8406-004 | 功能描述:光電晶體管 Silicon PhotoTransis RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| SDP8406-139 | 功能描述:光電晶體管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。