參數(shù)資料
型號(hào): SDP06S60
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Silicon Carbide Schottky Diode
中文描述: 碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù): 6/9頁
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代理商: SDP06S60
2004-03-23
Rev. 2.0
Page 6
SDP06S60, SDB06S60
SDT06S60
9 Typ. capacitive charge vs. current slope
Q
c
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
parameter:
T
j
= 150 °C
100
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
nC
22
Q
c
I
F
*0.5
I
F
I
F
*2
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PDF描述
SDB06S60 Silicon Carbide Schottky Diode
SDT06S60 Silicon Carbide Schottky Diode
SDP10S30 Silicon Carbide Schottky Diode
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SDP0720Q38CB 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 SDP Biased xDSL 100A Protection Device RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
SDP08S60 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:8A,600V Ultrafast Single Diode