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參數(shù)資料
| 型號： | SDB20S30 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | SDB20S30 |
2001-09-07
Page 5
SDP20S30
SDB20S30
Preliminary data
5 Typ. reverse current vs. reverse voltage
(per leg)
I
R
=
f
(
V
R
)
50
100
150
200
V
300
V
R
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μA
I
R
150°C
125°C
100°C
25°C
6 Transient thermal impedance
(per leg)
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SDP20S30
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
7 Typ. capacitance vs. reverse voltage
(per leg)
C
=
f
(
V
R
)
parameter:
T
C
= 25 °C,
f
= 1 MHz
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
R
0
50
100
150
200
250
300
350
pF
450
C
8 Typ.
C
stored energy
(per leg)
E
C
=
f
(
V
R
)
0
50
100
150
200
V
300
V
R
0
0.5
1
1.5
μJ
2.5
E
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP20S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDM150 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15002 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15004 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15006 | Silicon Power Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDB20S30_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode Switching behavior benchmark No reverse recovery |
| SDB20S30NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 300V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R |
| SDB20S30T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SCHTTKYDUALRECTSI |
| SDB2200E70 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
| SDB2200F1 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
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