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參數(shù)資料
| 型號： | SDB06S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | SDB06S60 |
2004-03-23
Rev. 2.0
Page 4
SDP06S60, SDB06S60
SDT06S60
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
W
60
P
t
2 Diode forward current
I
F
=
f
(
T
C
)
parameter:
T
j
≤
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
A
6.5
I
F
4 Typ. forward power dissipation vs.
average forward current
P
F(AV)=
f
(
I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
0
2
4
6
8
A
12
I
F(AV)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
W
28
P
F
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
3 Typ. forward characteristic
I
F
=
f
(
V
F
)
parameter:
T
j , t
p
= 350 μs
0
0.5
1
1.5
V
2.5
V
F
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
12
I
F
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDT06S60 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDP10S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT10S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT10S60 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDR-3001 | Software Defined Radio Transceiver Platform |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDB06S60_05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDB06S60-E3045A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| SDB06S60NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R |
| SDB06S60T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| SDB06S60XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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