參數(shù)資料
型號(hào)： SD600R08PC
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 600 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： SD600R08PC
SD600N/R Series
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
7
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
P
eak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
Initial T = 150°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 150 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
VersusPulse Train Duration.
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
Maximum Non Repetitive Surge Current
100
1000
10000
0123
4
T = 25°C
J
InstantaneousForward Voltage (V)
In
st
an
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 180°C
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
100
1000
10000
012345
T = 25°C
J
Instantaneous Forward Voltage (V)
In
st
an
tane
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 150°C
J
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
Fig. 13 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 14 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 11 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 12 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 15 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
th
J
C
Tr
an
si
e
n
t
Th
er
m
a
lI
m
pe
dan
c
e
Z
(K
/W
)
Steady State Value:
R
= 0.1 K/ W
(DC Operation)
thJC
SD600N/ RSeries
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD600N22PC 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R08PCPBF 600 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R22PCPBF 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N04PCPBF 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R20PCPBF 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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SD600R1699 制造商:n/a 功能描述:Diode REV
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