參數資料
型號： SD600N32PCPBF
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數： 6/8頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： SD600N32PCPBF
SD600N/R Series
6
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
2000
4000
6000
8000
10000
12000
110
100
Numb er Of Equa l Amp litud e Ha lf Cyc le Current Pulses (N)
P
e
ak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
Initial T = 180°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Maximum Non Repetitive Surge Current
Versus Pulse Train Duration.
Initial T = 180 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
Fig. 9 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 10 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/ W
R
=
0.0
2
K/W
- D
elt
a
R
th
SA
0.0
4
K/W
0.0
6
K/W
0.1
K/W
0.2
K/ W
0.4 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
100
200
300
400
500
600
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Angle
M
a
x
imu
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/W
R
=
0.0
2
K/ W
- D
elta
R
th
SA
0.0
4 K
/ W
0.0
6 K
/ W
0.1
K/ W
0.2 K
/ W
0.4 K/ W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Period
M
a
x
im
u
m
A
v
er
a
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
SD600R04PCPBF 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R12PCPBF 600 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R16PCPBF 600 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N20PC 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N28PCPBF 600 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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