參數(shù)資料
型號： SD600N22PC
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 121K
代理商： SD600N22PC
SD600N/R Series
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
7
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
P
eak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
Initial T = 150°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 150 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
VersusPulse Train Duration.
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
Maximum Non Repetitive Surge Current
100
1000
10000
0123
4
T = 25°C
J
InstantaneousForward Voltage (V)
In
st
an
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 180°C
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
100
1000
10000
012345
T = 25°C
J
Instantaneous Forward Voltage (V)
In
st
an
tane
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 150°C
J
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
Fig. 13 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 14 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 11 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 12 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 15 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
th
J
C
Tr
an
si
e
n
t
Th
er
m
a
lI
m
pe
dan
c
e
Z
(K
/W
)
Steady State Value:
R
= 0.1 K/ W
(DC Operation)
thJC
SD600N/ RSeries
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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