參數(shù)資料
型號(hào)： SD600N16PCPBF
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 121K
代理商： SD600N16PCPBF
SD600N/R Series
6
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
2000
4000
6000
8000
10000
12000
110
100
Numb er Of Equa l Amp litud e Ha lf Cyc le Current Pulses (N)
P
e
ak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
Initial T = 180°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Maximum Non Repetitive Surge Current
Versus Pulse Train Duration.
Initial T = 180 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
Fig. 9 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 10 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/ W
R
=
0.0
2
K/W
- D
elt
a
R
th
SA
0.0
4
K/W
0.0
6
K/W
0.1
K/W
0.2
K/ W
0.4 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
100
200
300
400
500
600
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Angle
M
a
x
imu
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/W
R
=
0.0
2
K/ W
- D
elta
R
th
SA
0.0
4 K
/ W
0.0
6 K
/ W
0.1
K/ W
0.2 K
/ W
0.4 K/ W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Period
M
a
x
im
u
m
A
v
er
a
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD600N32PCPBF 600 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R04PCPBF 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R12PCPBF 600 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R16PCPBF 600 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N20PC 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SD600N20PC 功能描述:DIODE STD REC 2000V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD600N22PC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N25PC 功能描述:DIODE STD REC 2500V 600A B-8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD600N28PC 功能描述:DIODE STD REC 2800V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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