參數(shù)資料
型號： SD600N12PC
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 121K
代理商： SD600N12PC
SD600N/R Series
2
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
SD600N/R
35
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
20
2000
2100
22
2200
2300
28
2800
2900
32
3200
3300
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
600
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
92
54
°C
I
F(AV)
Max. average forward current
570
375
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
100
°C
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
940
A
DC @ T
C
= 75°C (04 to 20), T
C
= 36°C (25 to 32)
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
13000
10500
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
13600
11000
t = 8.3ms
reapplied
10900
8830
t = 10ms
100% V
RRM
11450
9250
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
845
551
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
772
503
t = 8.3ms
reapplied
598
390
t = 10ms
100% V
RRM
546
356
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
8450
5510
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.31
1.44
V
I
pk
= 1500A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
SD600N/R
04 to 20 22 to 32
Parameter
Units
Conditions
0.31
0.38
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.35
0.40
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
m
0.87
0.88
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.78
0.84
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
V
KA2s
A
Forward Conduction
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SD600R22PCPBF 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N04PCPBF 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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