參數(shù)資料
型號： SD600N12PC
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-8, 1 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 194K
代理商： SD600N12PC
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93551
2
Revision: 17-Apr-08
SD600N/R Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Stud Version), 600 A
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD600N/R
UNITS
04 to 20
22 to 32
Maximum average forward current
at case temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
600
A
92
54
°C
570
375
A
100
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
DC at TC = 75 °C (04 to 20), TC = 36 °C (25 to 32)
940
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
13 000
10 500
t = 8.3 ms
13 600
11 000
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
10 900
8830
t = 8.3 ms
11 450
9250
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
845
551
kA2s
t = 8.3 ms
772
503
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
598
390
t = 8.3 ms
546
356
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
8450
5510
kA2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)),
TJ = TJ maximum
0.78
0.84
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.87
0.88
Low level value of forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)),
TJ = TJ maximum
0.35
0.40
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.31
0.38
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 1500 A, TJ = TJ maximum,
tp = 10 ms sinusoidal wave
1.31
1.44
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD600N/R
UNITS
04 to 20
22 to 32
Maximum junction operating
temperature range
TJ
- 40 to 180 - 40 to 150
°C
Maximum storage temperature range
TStg
- 55 to 200
Maximum thermal resistance,
junction to case
RthJC
DC operation
0.1
K/W
Maximum thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, smooth, flat and greased
0.04
Maximum allowed
mounting torque ± 10 %
Not-lubricated threads
50
Nm
Approximate weight
454
g
Case style
See dimensions (link at the end of datasheet)
B-8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD600N20PC 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R04PC 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R16PC 600 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R20PC 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R22PC 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SD600N16PC 功能描述:DIODE STD REC 1600V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD600N1899/330158-BA-01 制造商:n/a 功能描述:_
SD600N20PC 功能描述:DIODE STD REC 2000V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD600N22PC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N25PC 功能描述:DIODE STD REC 2500V 600A B-8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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