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參數(shù)資料
| 型號： | SD303C12S15C |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 350 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| 封裝： | PUK-2 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | SD303C12S15C |
SD303C..C Series
6
Bulletin I2066 rev. C 04/00
www.irf.com
Fig. 9 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 10 - Thermal Impedance Z
thJ-hs Characteristic
Fig. 11 - Typical Forward Recovery Characteristics
10
100
1 000
10000
012
3
4
567
8
In
st
a
n
ta
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C
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A
)
In stan t a n e o us Fo rw ard V o ltag e ( V )
T = 25 ° C
T = 125 ° C
J
SD 303C ..C Se r ies
0. 0 0 1
0. 0 1
0. 1
1
0. 0 0 0 1 0.001
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Sq u a re W a v e Pu lse D ur at io n ( s)
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Z
(K
/W
)
St ea d y S ta t e V a lu e
R
= 0 .1 6 K / W
( Sin g le Sid e C oole d)
R
= 0 .0 8 K / W
( D ou b le S id e C ooled )
(D C O p e ra tio n )
thJ -hs
thJ -h s
SD 3 0 3 C .. C Se rie s
0
20
40
60
80
10 0
12 0
0
2 00
4 0 0
600
80 0
1 000
1 2 0 0
14 00
16 00
1 800
2 0 0 0
Fo
rw
ar
d
R
e
c
o
v
e
ry
(
V
)
R at e O f f Fall O f Fo rw ard C u rre n t di/ d t ( A / u se c )
T
= 125 °C
T = 2 5 °C
J
S D 303C .. S20C Se ries
I
V
FP
Fig. 12 - Recovery Time Characteristics
Fig. 13 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 14 - Recovery Current Characteristics
20
30
40
50
60
70
80
90
10 0
20 30 40 5 0 60 70 80 90 10 0
M
a
xi
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R
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C
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I
rr
(A
)
Ra te O f Fall O f Fo rwa rd Curre n t - di/d t (A/s)
400 A
200 A
I
= 75 0 A
Sq ua re Puls e
FM
SD 303C . . S10C Se rie s
T = 1 25 °C , V
= 30V
r
J
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10 0
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12 0
13 0
14 0
0
2 0
4 06 08 0
1 0 0
M
a
x
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R
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v
e
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C
h
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e
-Q
rr
(
C
)
Ra te O f Fall O f Fo rw ard Cu rrent - d i/d t (A /s)
400 A
200 A
I
= 750 A
Sq u a re Puls e
FM
S D 303C . .S 10C Se rie s
T = 125 °C, V
= 3 0 V
J
r
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
10
100
R a te O f Fall O f Fo rwa rd C urre nt - di/d t (A /s)
M
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Ti
m
e
-T
rr
(
s)
400 A
200 A
I
= 750 A
Sq u a re Pu ls e
FM
SD 303C .. S1 0C Se rie s
T = 1 25 °C, V
= 3 0 V
J
r
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| SD303C14S20C | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 350 A |
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