參數(shù)資料
型號(hào)： SD300C12C
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 650 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： SD300C12C
SD300C..C Series
2
Bulletin I2083 rev. C 04/00
www.irf.com
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
20
2000
2100
25
2500
2600
28
2800
2900
32
3200
3300
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
SD300C..C
15
Parameter
Units
Conditions
I
F(AV)
Max. average forward current
650(380) 540(250)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55(65)
55(85)
°C
Double side (single side) cooled
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
1150
995
A
@ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
6050
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
6335
t = 8.3ms
reapplied
5090
t = 10ms
100% V
RRM
5330
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal halfwave,
I2 t
Maximum I2t for fusing
183
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
167
t = 8.3ms
reapplied
129
t = 10ms
100% V
RRM
118
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
1830
KA2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1 Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2 High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
2.08
V
I
pk
= 1500A, T
J = TJ max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
A
KA2s
SD300C..C
04 to 20 25 to 32
V
m
0.72
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.75
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
1.00
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.95
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
Forward Conduction
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD300C04CPBF 650 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C04CPBF 650 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C08CPBF 650 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C25C 540 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C20C 650 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SD300C20C 功能描述:DIODE STD REC 2000V 650A A-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD300C25C 功能描述:DIODE STD REC 2500V 540A A-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD300C28C 功能描述:DIODE STD REC 2800V 540A A-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD300C32C 功能描述:DIODE STD REC 3200V 540A A-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
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