參數(shù)資料
型號(hào)： SD3000C04K
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 3800 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, KPUK-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 128K
代理商： SD3000C04K
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93543
2
Revision: 14-May-08
SD3000C..K Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
3800 A
Note
The table above shows the increment of thermal resistance RthJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average forward current
at heatsink temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
Double side (single side) cooled
3800 (1925)
A
55 (85)
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
25 °C heatsink temperature double side cooled
6230
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
35 800
t = 8.3 ms
37 500
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
30 100
t = 8.3 ms
31 500
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
6410
kA2s
t = 8.3 ms
5850
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
4530
t = 8.3 ms
4135
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
64 100
kA2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.74
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.86
Low level value of forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.08
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.07
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 6000 A, TJ = TJ maximum
tp = 10 ms sinusoidal wave
1.22
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction operating
temperature range
TJ
- 40 to 180
°C
Maximum storage temperature range
TStg
- 55 to 200
Maximum thermal resistance,
junction to heatsink
RthJ-hs
DC operation single side cooled
0.042
K/W
DC operation double side cooled
0.020
Mounting force, ± 10 %
22 250 (2250)
N (kg)
Approximate weight
425
g
Case style
See dimensions - link at the end of datasheet
DO-200AC (K-PUK)
ΔR
thJ-hs CONDUCTION
CONDUCTION ANGLE
SINUSOIDAL CONDUCTION
RECTANGULAR CONDUCTION
TEST CONDITIONS
UNITS
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
180°
0.002
0.001
TJ = TJ maximum
K/W
120°
0.002
90°
0.003
60°
0.004
30°
0.007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD300C12CPBF 650 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C25CPBF 540 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C32CPBF 540 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C12C 650 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C04CPBF 650 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
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參數(shù)描述
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SD3001 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:整流二極管Diode Rectifiers，分立式整流二極管Discrete Diodes，Tj = -40°C ~ +150°C, Tjm = +150°C。
SD3002 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:整流二極管Diode Rectifiers，分立式整流二極管Discrete Diodes，Tj = -40°C ~ +150°C, Tjm = +150°C。
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