參數(shù)資料
型號： SD2933
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
中文描述： RF功率晶體管高頻/甚高頻/超高頻N溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： SD2933
1/8
ADVANCE DATA
Jun 2000
SD2933
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
M177
epoxy sealed
ORDER CODE
SD2933
BRANDING
SD2933
GOLD METALLIZATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
P
OUT
= 300 W MIN. WITH 20 dB GAIN @ 30
MHz
THERMALLY ENHANCED PACKAGING
DESCRIPTION
The SD2933 is a gold metallized N-Channel MOS
field-effect RF power transistor. It is intended for
use in 50 V DC large signal applications up to 150
MHz
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
3. Gate
4. Source
5. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
CASE
= 25
0
C)
Symbol
V
(BR)DSS
Drain Source Volatage
V
DGR
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M
)
V
GS
Gate-Source Voltage
I
D
Drain Current
P
DISS
Power Dissipation
T
j
Max. Operating Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
THERMAL DATA
R
th(j-c)
R
th(c-s)
Case-Heatsink Thermal Resistance*
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound apllied (Dow Corning 340 or equivalent).
Parameter
Value
125
125
±
20
40
648
200
Unit
V
V
V
A
W
0
C
0
C
-65 to 150
Junction-Case Thermal Resistance
0.27
0.15
0
C/W
0
C/W
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