參數(shù)資料
型號(hào)： SD200R16PC
元件分類： 整流器
英文描述： 200 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
封裝： CERAMIC, DO-30, 1 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： SD200R16PC
SD200N/R Series
5
www.irf.com
Bulletin I2080 rev. D 03/03
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
R
=
0.0
8
K/
W
- D
elt
a
R
th
SA
0.3
K/W
0.4
K/W
0.2
K/
W
0.1
2
K/
W
1.4 K/W
1.8 K/ W
0.6
K/ W
0.8
K/ W
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
50
100
150
200
250
300
350
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Conduc tion Period
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
we
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD200N/ RSeries
T = Tj max.
J
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
0.3
K/
W
0.4
K/
W
0.2
K/
W
0.1
2
K
/W
1.4 K/W
1.8 K/ W
0.6
K/ W
0.8
K/ W
R
=
0.0
8
K
/W
-
D
e
lta
R
thS
A
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Angle
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD200N/ RSeries
T = Tj max.
J
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
110
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
P
e
ak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = Tj max.
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD200N/ RSeries
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
H
a
lfS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t
(A
)
Initial T = Tj max.
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
VersusPulse Train Duration.
Maximum Non Repetitive Surge Current
J
SD200N/ RSeries
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD200R24PCPBF 200 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N20PCPBF 200 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD203N14S15MSV 200 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB
SD203N25S20PC 200 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB
SD203N25S20MBC 200 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SD200R20PC 功能描述:DIODE STD REC 2000V 200A DO-30 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD200R24PC 功能描述:DIODE STD REC 2400V 200A DO-30 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD200SA30A 制造商:SENSITRON 制造商全稱:Sensitron 功能描述:SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop
SD200SA30B 制造商:SENSITRON 制造商全稱:Sensitron 功能描述:SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop
SD200SA30C 制造商:SENSITRON 制造商全稱:Sensitron 功能描述:SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop
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