參數(shù)資料
型號: SD2000C10L
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 整流器
英文描述: 2100 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封裝: ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 130K
代理商: SD2000C10L
www.vishay.com
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Document Number: 93540
4
Revision: 14-May-08
SD2000C..L Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
2100 A
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 8 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 9 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 10 - Thermal Impedance ZthJ-hs Characteristics
5000
1000 0
1500 0
2000 0
2500 0
0
1
0
1
Nu m b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C y cle C urrent P uls es (N )
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
ve
F
o
rw
ar
d
C
ur
re
n
t(
A
)
SD200 0C..L Series
Initial T = 180 °C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
J
At Any Rated Load Cond ition An d W ith
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
5000
10000
15000
20000
25000
30000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
ve
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
SD 2000C..L Series
In itial T = 18 0 °C
No V oltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
Versus Pulse Tr ain Duration.
M aximum Non Repet itive Surge Current
100
10 0 0
10 0 0 0
1000 00
0 .51
1.52
2 .533 .5
T = 2 5°C
J
In stantaneous Forward V oltage (V )
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sF
or
w
a
rd
C
u
rre
nt
(
A
)
SD2 000 C..L Series
T = 180°C
J
0. 0 0 1
0. 0 1
0. 1
0 . 0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
1 0
1 0 0
Sq u are W a v e Pu lse D u ra tio n ( s)
th
J
-h
s
T
ra
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si
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n
t
T
h
er
m
a
l
Im
p
e
d
a
n
c
e
Z
(K
/W
)
SD 2000C .. L Se ries
S tead y St a te V alu e
R
= 0 .0 7 3 K /W
( S in g le Side C o o le d)
R
= 0 .0 3 1 K /W
( D oub le S id e C o ole d )
(D C O p e ra t io n )
th J-h s
相關PDF資料
PDF描述
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SD200N08PV 200 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N12MBV 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N12PSV 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N12PV 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
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參數(shù)描述
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