參數(shù)資料
型號(hào)： SD2000C08L
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 2100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 130K
代理商： SD2000C08L
www.vishay.com
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Document Number: 93540
2
Revision: 14-May-08
SD2000C..L Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
2100 A
Note
The table above shows the increment of thermal resistance RthJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average forward current
at heatsink temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
Double side (single side) cooled
2100 (1040)
A
55 (85)
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
25 °C heatsink temperature double side cooled
3900
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
23 900
t = 8.3 ms
25 000
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
20 100
t = 8.3 ms
21 000
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
2857
kA2s
t = 8.3 ms
2608
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
2020
t = 8.3 ms
1844
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
28 570
kA2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.74
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.86
Low level value of forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.13
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.12
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 6000 A, TJ = TJ maximum, tp = 10 ms sinusoidal wave
1.55
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction operating
temperature range
TJ
- 40 to 180
°C
Maximum storage temperature range
TStg
- 55 to 200
Maximum thermal resistance,
junction to heatsink
RthJ-hs
DC operation single side cooled
0.073
K/W
DC operation double side cooled
0.031
Mounting force, ± 10 %
14 700
(1500)
N
(kg)
Approximate weight
255
g
Case style
See dimensions - link at the end of datasheet
DO-200AB (B-PUK)
ΔR
thJ-hs CONDUCTION
CONDUCTION ANGLE
SINUSOIDAL CONDUCTION
RECTANGULAR CONDUCTION
TEST CONDITIONS
UNITS
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
180°
0.009
0.006
TJ = TJ maximum
K/W
120°
0.011
90°
0.014
0.015
60°
0.020
0.021
30°
0.036
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD2000C10L 2100 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD200N08MV 200 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N08PV 200 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N12MBV 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
SD200N12PSV 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SD200-11-31-241 功能描述:PHOTODIODE RED 5.1MM DIA TO-8 RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 光電二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 波長(zhǎng):850nm 顏色 - 增強(qiáng)型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時(shí)間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標(biāo)準(zhǔn)）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6
SD200-12-22-041 功能描述:PHOTODIODE BLUE 5.1MM DIA TO-8 RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 光電二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 波長(zhǎng):850nm 顏色 - 增強(qiáng)型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時(shí)間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標(biāo)準(zhǔn)）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6
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