參數(shù)資料
型號: SD1100C30L
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 整流器
英文描述: 910 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封裝: ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 164K
代理商: SD1100C30L
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93536
2
Revision: 14-May-08
SD1100C..L Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
1170 A
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
VOLTAGE RATINGS
TYPE NUMBER
VOLTAGE
CODE
VRRM, MAXIMUM REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
IRRM MAXIMUM
AT TJ = TJ MAXIMUM
mA
SD1100C..L
04
400
500
15
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
20
2000
2100
25
2500
2600
30
3000
3100
32
3200
3300
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD1100C..L
UNITS
04 to 20
25 to 32
Maximum average forward current
at heatsink temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
Double side (single side) cooled
1170 (600)
910 (420)
A
55 (85)
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
25 °C heatsink temperature double side cooled
2080
1660
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
13 000
10 500
t = 8.3 ms
13 600
11 000
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
10 930
8830
t = 8.3 ms
11 450
9250
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
846
551
kA2s
t = 8.3 ms
772
503
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
598
390
t = 8.3 ms
546
356
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
8460
5510
kA2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.78
0.84
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.94
0.88
Low level value of forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.35
0.40
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.26
0.38
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 1500 A, TJ = TJ maximum,
tp = 10 ms sinusoidal wave
1.31
1.44
V
相關PDF資料
PDF描述
SD1100C04L 1170 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD1100C16L 1170 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD140UF500C50 25 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD165UF300A50 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD120UF300A45 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SD1100C32C 功能描述:DIODE STD REC 3200V 1100A E-PUK RoHS:是 類別:半導體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標準包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復時間(trr):65ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商設備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100C32L 功能描述:DIODE STD REC 3200V 910A B-PUK RoHS:是 類別:半導體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標準包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復時間(trr):65ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商設備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100CHP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS
SD1100DD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS
SD1100HD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS