參數(shù)資料
型號: SD1100C25L
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 整流器
英文描述: 910 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封裝: CERAMIC, BPUK-2
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大?。?/td> 112K
代理商: SD1100C25L
SD1100C..L Series
6
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 9 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 10 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 11 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 12 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 13 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
0
50 0
100 0
150 0
200 0
250 0
300 0
350 0
0
5 00
10 00
15 00
2 000
250 0
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co nd uc tion Pe riod
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
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P
o
w
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rL
o
ss
(
W
)
A v e rag e Fo rw ard C ur re n t ( A )
SD 110 0C ..L Se rie s
( 400V t o 200 0V )
T = 180 ° C
J
0
50 0
100 0
150 0
200 0
250 0
0
4 00
80 0
1 2 0 0
1 600
20 00
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
C o nd uc tion Pe riod
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
Fo
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
A v e rag e Fo rw ard C urr e n t ( A )
SD 1 100C ..L S e ries
( 250 0V to 3200 V )
T = 150 °C
J
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
200
400
600
800
1000
1200
18 0°
12 0°
90°
60°
30°
RMS Lim it
Co n d uc tio n An gle
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Av erage Forward Cur ren t (A)
SD1 100C..L Series
(2500 V to 3200 V)
T = 150 °C
J
0
500
1 000
1 500
2 000
2 500
0
2 0 0
40 0
600
80 0
1 000 1200 14 00
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co n d uc tio n Ang le
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
ra
g
e
Fo
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
A v e ra g e Fo rw a r d C u rre n t ( A )
SD 1100 C ..L S e rie s
( 400 V t o 2000V )
T = 1 8 0 °C
J
3 000
4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
100 00
110 00
120 00
11 0
1 0 0
N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C yc le Cu rren t Pulse s (N )
P
e
ak
Hal
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in
e
W
a
v
e
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n
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(A
)
In itia l T = 1 8 0 ° C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
At An y R a t e d L o a d C o n d it io n An d W it h
R a t e d V
A p p lie d Fo llo w in g S urg e .
RR M
SD 110 0C ..L Se rie s
( 400V t o 2000 V )
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
Fo
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
Ver sus Pulse Train Duration .
Initial T = 18 0 °C
No V oltag e Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
Maxim um Non Repetitive Surge Current
SD1100 C..L Series
(40 0V to 200 0V)
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PDF描述
SD1100C14CPBF 1400 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD400C14CPBF 800 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD700C38LPBF 700 A, 3800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD700C44LPBF 700 A, 4400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD800C32LPBF 1180 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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SD1100C32C 功能描述:DIODE STD REC 3200V 1100A E-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100C32L 功能描述:DIODE STD REC 3200V 910A B-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100CHP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS