參數(shù)資料
型號(hào)： SD1100C16LPBF
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 1170 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封裝： CERAMIC, BPUK-2
文件頁(yè)數(shù)： 7/7頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： SD1100C16LPBF
SD1100C..L Series
7
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 19 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
Fig. 17 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 18 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 15 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 16 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
100
1000
10000
0 .51
1 .52
2. 533 .5
44 .5
5
T = 25 °C
J
In stantan eous Forward Voltage (V)
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
s
Fo
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 1 50°C
J
SD110 0C..L Series
(2 500V to 3200 V)
100
1000
10000
0 .5
1
1 .522. 5
33 .5
4
T = 25°C
J
Instantan eous Forward V oltage (V )
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
T = 18 0°C
J
SD1100 C..L Series
(40 0V to 200 0V)
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
110
1 00
Num b er O f Eq ua l Am p litu d e H a lf Cy cle C urrent P uls es (N )
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
In itial T = 15 0°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
J
SD110 0C..L Series
(25 00V to 32 00V )
At Any Rated L oad Cond ition An d W ith
Rated V
Applied Followin g Surge.
RRM
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 150 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RR M
Versus Pulse Train Duration.
SD 1100C..L Series
(2500 V to 320 0V)
Maxim um Non Repetitive Surge Current
0. 0 0 1
0. 0 1
0. 1
1
0 . 0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
1 0
Sq u a re W a v e Pu lse D u rat io n ( s)
th
J-
h
s
Tr
a
n
si
e
n
t
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(K
/W
)
St e a d y St at e V a lue
R
= 0 .1 1 K /W
( Sing le Sid e C ooled )
R
= 0 .0 5 K /W
( D ou ble Sid e C o oled )
(D C O p e ra t io n )
S D 1100C .. L S e ries
thJ -hs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD1100C20LPBF 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD1100C25L 910 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD1100C14CPBF 1400 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD400C14CPBF 800 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD700C38LPBF 700 A, 3800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SD1100C20C 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1400A E-PUK RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100C20L 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1170A B-PUK RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100C25C 功能描述:DIODE STD REC 2500V 1100A E-PUK RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100C25L 功能描述:DIODE STD REC 2500V 910A B-PUK RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
SD1100C30C 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES Hockey Puk Version
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