參數(shù)資料
型號(hào)： SD1100C12C
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 1400 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： SD1100C12C
www.vishay.com
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Document Number: 93535
2
Revision: 14-May-08
SD1100C..C Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
1400 A
Note
The table above shows the increment of thermal resistance RthJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD1100C..C
UNITS
04 TO 20
25 TO 32
Maximum average forward current
at heatsink temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
Double side (single side) cooled
1400 (795) 1100 (550)
A
55 (85)
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
25 °C heatsink temperature double side cooled
2500
2000
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
13 000
10 500
t = 8.3 ms
13 600
11 000
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
10 930
8830
t = 8.3 ms
11 450
9250
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
846
551
kA2s
t = 8.3 ms
772
503
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
598
390
t = 8.3 ms
546
356
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
8460
5510
kA2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.78
0.84
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.94
0.88
Low level value of forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.35
0.40
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.26
0.38
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 1500 A, TJ = TJ maximum
tp = 10 ms sinusoidal wave
1.31
1.44
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD1100C..C
UNITS
04 TO 20
25 TO 32
Maximum junction operating
temperature range
TJ
- 40 to 180 - 40 to 150
°C
Maximum storage temperature range
TStg
- 55 to 200
Maximum thermal resistance,
junction to heatsink
RthJ-hs
DC operation single side cooled
0.076
K/W
DC operation double side cooled
0.038
Mounting force, ± 10 %
9800 (1000)
N (kg)
Approximate weight
83
g
Case style
See dimensions - link at the end of datasheet
B-43
ΔR
thJ-hs CONDUCTION
CONDUCTION ANGLE
SINUSOIDAL CONDUCTION
RECTANGULAR CONDUCTION
TEST CONDITIONS
UNITS
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
180°
0.007
0.005
TJ = TJ maximum
K/W
120°
0.008
90°
0.010
0.011
60°
0.015
0.016
30°
0.026
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SD1100C32LPBF 910 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
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