參數(shù)資料
型號： SD103B-D8
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝： GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： SD103B-D8
www.vishay.com
2
Document Number 85754
Rev. 1.3, 10-Mar-04
VISHAY
SD103A / 103B / 103C
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
IR = 50 A
SD103A
V(BR)R
40
V
SD103B
V(BR)R
30
V
SD103C
V(BR)R
20
V
Leakage current
VR = 30 V
SD103A
IR
5
A
VR = 20 V
SD103B
IR
5
A
VR = 10 V
SD103C
IR
5
A
Forward voltage drop
IF = 20 mA
VF
0.37
V
IF = 200 mA
VF
0.6
V
Diode capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
CD
50
pF
Reverse recovery time
IF = IR = 50 to 200 mA, recover
to 0.1 IR
trr
10
ns
Fig. 1 Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 2 Forward Current vs. Forward Voltage
I
–
Forward
Current
(
mA)
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
1000.000
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V F – Forward Voltage ( mV )
16765
F
1000
100
10
1
0.1
0.01
I
–
Forward
Current
(A
)
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VF – Forward Voltage(V)
16766
F
Fig. 3 Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 4 Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
10000
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Tj – Junction Temperature (°C)
16767
I
–
Reverse
Current
(A
)
R
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
VR – Reverse Voltage(V)
16768
C
–
Diode
Capacitance
(
p
F
)
D
f=1MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD103C-TAP SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103C-TR SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103CW-GS08 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SD103CW-GS18 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SD103AW-GS18 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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參數(shù)描述
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SD103B-TAP 功能描述:肖特基二極管與整流器 5uA 30 Volt 15A IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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