- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄40084 > SBYV27-100-E3/73 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SBYV27-100-E3/73 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | SBYV27-100-E3/73 |
Document Number: 88736
For technical questions within your region, please contact one of the following:
www.vishay.com
Revision: 22-Oct-09
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
SBYV27-50 thru SBYV27-200
Vishay General Semiconductor
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
Fig. 5 - Reverse Switching Charateristics
Fig. 6 - Typical Junction Capacitance
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
0.01
0.1
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
In
s
tantaneou
s
Forwar
d
Curr
ent
(A)
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 100 °C
0.1
1
10
100
1000
10 000
0
20406080
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e
Leakage
Curr
ent
(μA)
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 100 °C
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
I
F = 2.0 A
V
R = 30 V
Junction Temperature (°C)
Recover
ed
S
tor
e
Change/Rever
s
e
Recovery
Time,
nC/n
s
t
rr
Q
rr
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
Reverse Voltage (V)
Junction
Capacit
ance
(pF)
100
10
1
0.1
1
10
100
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
DO-204AC (DO-15)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
1.0 (25.4)
MIN.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBYV27-200-E3/54 | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
| SBYV27-150-E3/54 | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
| SBYV28-100-E3/54 | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SBYV28-150-E3 | 3.5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SBYV28-200-E3 | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SBYV27-150 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SBYV27-150-E3 |
| SBYV27-150-E3/1 | 功能描述:整流器 150 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| SBYV27-150-E3/23 | 功能描述:整流器 150 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| SBYV27-150-E3/4 | 功能描述:整流器 150 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| SBYV27-150-E3/51 | 功能描述:整流器 150 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。