- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄40083 > SBR850-A (DIODES INC) 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SBR850-A |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | SBR850-A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBL2030DCT-A | 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR1035{TUBE} | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR1635-A | 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR845{TUBE} | 8 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR860-A | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SBR860 | 制造商:DAESAN 制造商全稱:Daesan Electronics Corp. 功能描述:CURRENT 8.0 AMPERES |
| SBR880 | 制造商:DAESAN 制造商全稱:Daesan Electronics Corp. 功能描述:CURRENT 8.0 AMPERES |
| SBR8A45SP5-13 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 8A SBR 45V VRRM 8A IO 180A IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SBR8A60P5-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SBR8F | 制造商:SEMTECH 制造商全稱:Semtech Corporation 功能描述:FAST RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。