參數(shù)資料
型號： SBLB1630CTHE3/81
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 141K
代理商： SBLB1630CTHE3/81
SBL(F,B)1630CT & SBL(F,B)1640CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88727
Revision: 07-May-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1
0.1
0.01
0
0.2
0.1
0.6
1.1 1.2
0.4
0.3
0.7 0.8 0.9
0.5
1.0
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
20
0
100
40
60
80
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
1000
10 000
100
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
0.1
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
10
100
0.1
1
0.01
0.1
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相關PDF資料
PDF描述
SBLB1640CT-E3/45 8 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
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