參數(shù)資料
型號： SB3H90
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 40K
代理商： SB3H90
SB3H90 and SB3H100
High Voltage Schottky Rectifier
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
0
25
50
Lead Temperature (
°
C)
75
100
125
150
175
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
0.2
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
100
1,000
0.1
10
1
10
100
20
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 6 - Typical Transient
Thermal Impedance
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Fig. 1 -- Forward Current
Derating Curve
Fig. 3 -- Typical Instantaneous Forward
Characteristics
Fig. 5 -- Typical Junction
Capacitance
Fig. 4 -- Typical Reverse
Characteristics
A
I
μ
A
I
J
Reverse Voltage (V)
Resistive or Inductive Load
0.375" (9.5mm) lead length
1
10
100
20
10
40
60
80
100
Fig. 2 -- Maximum Non-repetitive Peak
Forward Surge Current
P
Number of Cycles at 60 Hz
T
J
= T
J
max.
8.3ms single half sine-wave
(JEDEC Method)
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
0.1
t, Pulse Duration (sec.)
1
10
0.1
10
1
100
100
0
T
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 175
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SB560L 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
SBE808 1 A, 15 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
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SBL20V100CT 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
SBL3050PT 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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